K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, 他: "Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate"Japanese Journal of Applied Physics. 42. L232-L234 (2003)
K.Kutsukake, N.Usami, K.Fujiwara, T.Ujihara, G.Sazaki, 他: "Fabrication of homogeneous SiGe-on-insulator through thermal diffusion of Ge on Si-on-insulator substrate"Japanese Journal of Applied Physics. 42. L232-L234 (2003)
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K.Kutsukake、N.Usami、K.Fujiwara、T.Ujihara、G.Sazaki 等人：“通过 Ge 在 Si-on-insulator 衬底上的热扩散制造均质 SiGe-on-insulator”日本应用杂志物理学。42.L232-L234（2003）
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