Activating Thick Buried p-GaN for Device Applications
Activating Thick Buried p-GaN for Device Applications
复制标题
激活厚埋 p-GaN 用于器件应用
DOI：
10.1109/ted.2022.3186652
复制
发表时间：
2022
影响因子：
3.1
通讯作者：
Zhang, Yuhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ma, Yunwei;Xiao, Ming;Du, Zhonghao;Wang, Lei;Carlson, Eric;Guido, Louis;Wang, Han;Wang, Lai;Luo, Yi;Zhang, Yuhao
