金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜を用いた薄膜トランジスタ特性
金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜を用いた薄膜トランジスタ特性
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金诱导层交换生长法制备Ge薄膜薄膜晶体管的特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
浜屋宏平
中科院分区：
文献类型：
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作者：
東英実;笠原健司;山本圭介;工藤康平;山田晋也;金島岳;中島寛;浜屋宏平
