MOVPE InGaAs/InP grown directly on GaAs substrates
MOVPE InGaAs/InP grown directly on GaAs substrates
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MOVPE InGaAs/InP 直接生长在 GaAs 衬底上
DOI：
10.1049/el:19860813
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发表时间：
1986
影响因子：
1.1
通讯作者：
C. L. Cheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Dentai;C. Joyner;B. Tell;J. Zyskind;J. Sulhoff;J. F. Ferguson;J. Centanni;S. Chu;C. L. Cheng
我们已经证明了使用常压金属有机物气相外延直接在GaAs上生长InP/InGaAs结构的可行性。生长条件和所使用的设备沿着描述与GaAs/InP/InGaAs晶片上的一些初步测量。在这些材料中形成P-N结以评估二极管特性。
We have demonstrated the feasibility of growth of InP/InGaAs structures directly on GaAs using atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy. Growth conditions and the equipment used are described along with some preliminary measurements on the GaAs/InP/InGaAs wafers. P-N junctions were formed in these materials to evaluate diode characteristics.