Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111)
Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111)
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Si(111) 上生长的 AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT 异质结构的断态电击穿
DOI：
10.1063/1.4944483
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Hui Yang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shuiming Li;Yu Zhou;Hongwei Gao;Shujun Dai;Guohao Yu;Qian Sun;Yong Cai;Baoshun Zhang;Sheng Liu;Hui Yang
