Coherence Properties of the Silicon Vacancy in SiC: from Ensemble to Single Defects
Coherence Properties of the Silicon Vacancy in SiC: from Ensemble to Single Defects
复制标题
SiC 中硅空位的相干特性：从整体到单一缺陷
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
V. Dyakonov
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Simin;H. Kraus;A. Sperlich;M. Trupke;T. Ohshima;G. V. Astakhov;V. Dyakonov
