Effect of InGaN growth interruption on photoluminescence properties of an InGaN-based multiple quantum well structure
Effect of InGaN growth interruption on photoluminescence properties of an InGaN-based multiple quantum well structure
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InGaN生长中断对InGaN基多量子阱结构光致发光性能的影响
DOI：
10.1016/j.physe.2020.113982
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Xiangang Xu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kaiju Shi;Hongbin Li;Wang Ma;Chengxin Wang;Changfu Li;Yehui Wei;Ziwu Ji;Xiangang Xu
