M.KURIMOTO,T.Nakada,Y.Ishihara,M.Shibata,I.Honda and H.Kawanishi: "Tensile Strain Introduced in AlN Layer Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxyon(0001) 6H-SiC with (GaN/AlN) Buffer"Japanese Journal of Applied Physics. 38・5. L551-L553 (1999)
M.KURIMOTO,T.Nakada,Y.Ishihara,M.Shibata,I.Honda and H.Kawanishi: "Tensile Strain Introduced in AlN Layer Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxyon(0001) 6H-SiC with (GaN/AlN) Buffer"Japanese Journal of Applied Physics. 38・5. L551-L553 (1999)
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M.KURIMOTO、T.Nakada、Y.Ishihara、M.Shibata、I.Honda 和 H.Kawanishi：“通过金属有机气相外延 (0001) 6H-SiC 与 (GaN/ AlN)缓冲剂”日本应用物理学杂志。38・5.L551-L553(1999)
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