Strain memory effect of ferroelectric ceramics due to domain switching by asymmetric filed application
Strain memory effect of ferroelectric ceramics due to domain switching by asymmetric filed application
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不对称场应用引起的磁畴切换导致铁电陶瓷的应变记忆效应
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Morita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Kadota;H.Hosaka;T.Morita
