0.5μm栅长HfO_2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
0.5μm栅长HfO_2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
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DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
孔月婵
中科院分区：
文献类型：
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作者：
韩克锋;王创国;朱琳;孔月婵
