Low-Energy Plasma Enhanced Epitaxy and In-Situ Doping for Group-IV Semiconductor Device Fabrication
Low-Energy Plasma Enhanced Epitaxy and In-Situ Doping for Group-IV Semiconductor Device Fabrication
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用于 IV 族半导体器件制造的低能量等离子体增强外延和原位掺杂
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Sakuraba and S. Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Sakuraba and S. Sato
