High-Holding-Voltage Silicon-Controlled Rectifier for ESD Applications
High-Holding-Voltage Silicon-Controlled Rectifier for ESD Applications
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适用于 ESD 应用的高保持电压硅控整流器
DOI：
10.1109/led.2012.2208934
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发表时间：
2012-10-01
影响因子：
4.9
通讯作者：
Liou, Juin J.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Dong, Shurong;Wu, Jian;Liou, Juin J.
具有栅极结构的低压触发硅控整流器（LVTSCR）可以在静电放电（ESD）应用中提供低触发电压。为了避免锁存的威胁，LVTSCR的横向宽度通常被拉伸以获得相对较高的保持电压。然而，由此产生的横向尺寸增加，扩大了LVTSCR的尺寸。本文提出了一种提高LVTSCR保持电压的新方法。它是基于在LVTSCR中增加一个浮动n-井区域，可以在不需要额外布局面积的情况下提高保持电压。此外，使用这种新型LVTSCR，可以在非常小的1 V窗口内实现ESD保护操作。
Low-voltage-triggering silicon-controlled rectifier (LVTSCR) having a gate structure can offer a low trigger voltage in electrostatic discharge (ESD) applications. To avoid the threat of latch-up, the lateral width of LVTSCR is often stretched to obtain a relatively high holding voltage. The resulting lateral dimension increase, however, enlarges the size of LVTSCR. In this letter, a new method to increase the holding voltage of LVTSCR is developed. It is based on adding a floating-n-well region in the LVTSCR and can increase the holding voltage without requiring additional layout area. Furthermore, with this new LVTSCR, it is possible to implement an ESD protection operation within a very small window of 1 V.