Effects of surface defects on the performance of 4H– and 6H–SiC pn junction diodes
Effects of surface defects on the performance of 4H– and 6H–SiC pn junction diodes
复制标题
表面缺陷对 4H– 和 6H–SiC pn 结二极管性能的影响
DOI：
10.1016/s0921-5107(98)00532-7
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Matsunami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kimoto;N. Miyamoto;H. Matsunami
