Si/SiGe Bound-to-Continuum Quantum Cascade Emitters

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Si/SiGe 连续量子级联发射器

DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Neels
A. Neels
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
D. Paul;G. Matmon;L. Lever;Z. Ikonić;R. Kelsall;D. Chrastina;G. Isella;H. Känel;E. Müller;A. Neels

文献摘要

被引文献

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设计的Si/SiGe束缚连续量子级联发射器 通过自洽6带K.P模拟和低能量生长 介绍了等离子体增强化学气相沉积 展示了1.5至3太赫兹之间的电致发光。这个 电致发光是由电场使斯塔克位移的 演示了与设计一致的偏振发射。 透射电子显微镜和x射线衍射仪也是。 提出用来表征厚的异质层结构。
Si/SiGe bound-to-continuum quantum cascade emitters designed by self-consistent 6-band k.p modeling and grown by low energy plasma enhanced chemical vapour deposition are presented demonstrating electroluminescence between 1.5 and 3 THz. The electroluminescence is Stark shifted by an electric field and demonstrates polarized emission consistent with the design. Transmission electron microscopy and x-ray diffraction are also presented to characterize the thick heterolayer structure.