K.Fujinaga: "MOSFET Evaluation of ultraclean-CVD Si and SiGe grown at 550℃ on SIMOX."The 197^<th> Meeting Abstracts of the Electrochem.Soc.No.926, The Electrochem.Soc.Proc.. Vol.2000-1 (in print.). (2000)
K.Fujinaga: "MOSFET Evaluation of ultraclean-CVD Si and SiGe grown at 550℃ on SIMOX."The 197^<th> Meeting Abstracts of the Electrochem.Soc.No.926, The Electrochem.Soc.Proc.. Vol.2000-1 (in print.). (2000)
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K.Fujinaga：“在 SIMOX 上 550℃ 下生长的超洁净 CVD Si 和 SiGe 的 MOSFET 评估”。Electrochem.Soc.No.926 第 197 次会议摘要，Electrochem.Soc.Proc. 卷。 2000-1（印刷中）（2000）。
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