Control of the growth plane of semipolar GaN on Si (001) by adjusting the direction of sputtered AlN buffer layer
Control of the growth plane of semipolar GaN on Si (001) by adjusting the direction of sputtered AlN buffer layer
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通过调节溅射AlN缓冲层的方向控制Si(001)上半极性GaN的生长面
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. J. Lee;S. Y. Bae;K. Lekhal;T. Suzuki;M. Deki;Y. Honda;and H. Amano
