S.Ito, H.Fujioka, J.Ohta, H.Takahashi, M.Oshima: "Effect of AlN buffer Layers on Epitaxial Growth of GaN on MnO"Physica Status Solidi (c). 0. 192-195 (2002)
S.Ito, H.Fujioka, J.Ohta, H.Takahashi, M.Oshima: "Effect of AlN buffer Layers on Epitaxial Growth of GaN on MnO"Physica Status Solidi (c). 0. 192-195 (2002)
复制标题
S.Ito、H.Fujioka、J.Ohta、H.Takahashi、M.Oshima：“AlN 缓冲层对 MnO 上 GaN 外延生长的影响”物理状态固体 (c)。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
