単一半導体を用いた新ソースヘテロ構造の検討:(I)緩和Si/歪Siヘテロ構造
単一半導体を用いた新ソースヘテロ構造の検討:(I)緩和Si/歪Siヘテロ構造
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利用单一半导体的新型源异质结构研究：（一）松弛Si/应变Si异质结构
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鮫島俊之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
水野智久;溝口直樹;谷本光太郎;山内知明;鮫島俊之
