A tale of two vacancies
A tale of two vacancies
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两个职位空缺的故事
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Mao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Cheng;Lei Liu;P. Y. Yu;Zhixun Ma;S. Mao
在本文中，我们应用第一性原理密度泛函理论来计算空位在材料性质中所扮演的一些有趣的角色，例如磁性和复合物的形成。我们使用我们最近在III-V族半导体（如GaN）和II-VI族半导体（如CdTe）中的空位结果作为例子。
In this paper we have applied first‐principle density‐functional theory to calculate some of the interesting roles played by vacancies in material properties, such as magnetic properties and complex formation. We use as examples our recent results on vacancies in group III‐V semiconductors like GaN and II‐VI semiconductor like CdTe.