Lasing characteristics of GaInAsP SCH-MQW laser diode on directly-bonded InP/Si substrate
Lasing characteristics of GaInAsP SCH-MQW laser diode on directly-bonded InP/Si substrate
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直接键合 InP/Si 衬底上 GaInAsP SCH-MQW 激光二极管的激光特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Shimomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ishizaki;K. Uchida;H. Sugiyama;X. Han;N. Hayasaka;M. Aikawa;M. Matsuura;K. Tsushima;T. Shirai;and K. Shimomura
