DEFECT PHYSICS AND INTRINSIC p-TYPE CONDUCTIVITY IN TOPOLOGICAL INSULATOR AuTlS2
DEFECT PHYSICS AND INTRINSIC p-TYPE CONDUCTIVITY IN TOPOLOGICAL INSULATOR AuTlS2
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拓扑绝缘体 AuTlS2 中的缺陷物理和本征 p 型电导率
DOI：
10.1142/s0217984914500080
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发表时间：
2014-01
影响因子：
1.9
通讯作者：
Zhang Ying
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Jian-Min;Feng Wangxiang;Yang Pei;Shi Lijie;Zhang Ying
利用第一性原理计算，我们系统地研究了拓扑绝缘体AuTlS2中的缺陷物理。明确提出了一个最佳的生长条件，以指导实验合成。详细研究了各种本征点缺陷在不同生长条件和不同载流子环境下的稳定性。我们发现，p型导电性是强烈的首选AuTlS2，和带隙可以通过控制本征缺陷工程。我们的研究结果表明AuTlS2是一种理想的p型拓扑绝缘体，可以很容易地与传统的半导体集成。
Using first-principles calculations, we systematically investigate the defect physics in topological insulator AuTlS2. An optimal growth condition is explicitly proposed to guide for the experimental synthesis. The stabilities of various native point defects under different growth conditions and different carrier environments are studied in detail. We show that the p-type conductivity is strongly preferred in AuTlS2, and the band gap can be engineered by the control of intrinsic defects. Our results demonstrate that AuTlS2 is an ideal p-type topological insulator which can be easily integrated with traditional semiconductor.
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