S.Takehiro et al.: "Characterization of High Ge Fraction SiGe-Channel MOSFET with Ultrashallow Source/Drain Formation by Selective B-Doped SiGe CVD"3rd Int.Conf. on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures (ICSI3). 179-181 (2003)
S.Takehiro et al.: "Characterization of High Ge Fraction SiGe-Channel MOSFET with Ultrashallow Source/Drain Formation by Selective B-Doped SiGe CVD"3rd Int.Conf. on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures (ICSI3). 179-181 (2003)
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S.Takehiro 等人：“通过选择性 B 掺杂 SiGe CVD 形成超浅源极/漏极的高 Ge 分数 SiGe 沟道 MOSFET 的表征”第 3 届 Int.Conf。
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