PLD法を用いて作製したBi2SiO5エピタキシャル 薄膜の強誘電特性
PLD法を用いて作製したBi2SiO5エピタキシャル 薄膜の強誘電特性
复制标题
PLD法制备Bi2SiO5外延薄膜的铁电性能
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
舟窪 浩
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
小寺 正徳;清水 荘雄;舟窪 浩
