窒素添加LaB6界面制御層によるしきい値電圧制御型ペンタセンPseudo-CMOSの低電圧動作
窒素添加LaB6界面制御層によるしきい値電圧制御型ペンタセンPseudo-CMOSの低電圧動作
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使用氮掺杂LaB6界面控制层的阈值电压控制并五苯伪CMOS的低电压操作
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大見 俊一郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
前田 康貴;朴 鏡恩;小松 勇貴;大見 俊一郎
