Inductively coupled plasma etching of AIN-based waveguide structure for the measurement of intersubband transition by A1N/GaN multiple quantum wells
Inductively coupled plasma etching of AIN-based waveguide structure for the measurement of intersubband transition by A1N/GaN multiple quantum wells
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基于 AIN 的波导结构的电感耦合等离子体蚀刻，用于测量 AlN/GaN 多量子阱的子带间跃迁
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshiaki Nakano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toshimasa Shimizu;Jung Seung Yang;Chaiyasit Kumtornkittikul;Masakazu Sugiyama;Yukihiro Shimogaki;Yoshiaki Nakano
