Improved thermodynamic analysis of gas reactions for compound semiconductor growth by vapor-phase epitaxy
Improved thermodynamic analysis of gas reactions for compound semiconductor growth by vapor-phase epitaxy
复制标题
改进气相外延生长化合物半导体气体反应的热力学分析
DOI：
10.7567/jjap.56.038002
复制
发表时间：
2017
影响因子：
1.5
通讯作者：
A. Koukitu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Inatomi;Y. Kangawa;K. Kakimoto;A. Koukitu
