Conventional and back-side focused ion beam milling for off-axis electron holography of electrostatic potentials in transistors.
Conventional and back-side focused ion beam milling for off-axis electron holography of electrostatic potentials in transistors.
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传统和背面聚焦离子束铣削，用于晶体管静电势的离轴电子全息术。
DOI：
10.1016/j.ultramic.2004.11.018
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
2.2
通讯作者：
P. Midgley
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Dunin‐Borkowski;S. Newcomb;T. Kasama;M. McCartney;M. Weyland;P. Midgley
