Growth and properties of high-mobility two-dimensional hole gases in Ge on relaxed Si/SiGe, Ge/SiGe buffers and Ge substrates
Growth and properties of high-mobility two-dimensional hole gases in Ge on relaxed Si/SiGe, Ge/SiGe buffers and Ge substrates
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Ge 中高迁移率二维空穴气体在松弛 Si/SiGe、Ge/SiGe 缓冲层和 Ge 衬底上的生长和特性
DOI：
10.1016/0022-0248(95)80092-q
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发表时间：
1995
影响因子：
1.8
通讯作者：
G. Abstreiter
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Nützel;C. Engelhardt;R. Wiesner;D. Toebben;M. Holzmann;G. Abstreiter
