Be doping in GaAs by intermittent AsH3/TEG supply in an ultra-high vacuum
Be doping in GaAs by intermittent AsH3/TEG supply in an ultra-high vacuum
复制标题
在超高真空中通过间歇性 AsH3/TEG 供应来掺杂 GaAs
DOI：
10.1016/s0022-0248(03)01585-9
复制
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Nishizawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Oyama;T. Ohno;K. Suto;J. Nishizawa
