High Performance Poly-Si Device with Thin Gate Oxide Film Grown by Plasma Oxidation Technology
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采用等离子体氧化技术生长薄栅氧化膜的高性能多晶硅器件
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F.Imaizumi;T.Hayashi;K.Ishii;A.Teramoto;M.Hirayama;S.Sugawa;T.Ohmi
