Low temperature formation of highly resistive ZnO films using nonequilibrium N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure
Low temperature formation of highly resistive ZnO films using nonequilibrium N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure
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利用近大气压产生的非平衡 N2/O2 等离子体低温形成高阻 ZnO 薄膜
DOI：
10.1016/j.tsf.2016.09.009
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Norifumi Fujimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yukinori Nose;Takeshi Yoshimura;Atsushi Ashida;Tsuyoshi Uehara;Norifumi Fujimura
