Arのマイクロ波放電フロー中でのヘキサメチルジシランの分解を用いた a-SiC_x:H膜の形成」高周波プラズマCVDによる高窒素含有a-CN_x:H 薄膜の形成
Arのマイクロ波放電フロー中でのヘキサメチルジシランの分解を用いた a-SiC_x:H膜の形成」高周波プラズマCVDによる高窒素含有a-CN_x:H 薄膜の形成
复制标题
“利用Ar微波放电流中六甲基乙硅烷的分解来形成a-SiC_x:H膜” “通过高频等离子体CVD形成高氮含量a-CN_x:H薄膜”
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
斎藤秀 俊、伊藤治彦
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
熊倉基起;斎藤秀 俊、伊藤治彦
