Temperature Dependence of InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase epitaxy
Temperature Dependence of InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase epitaxy
复制标题
三卤化物气相外延生长 InGaN 的温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Hirasaki;Y. Watanabe;T. Hasegawa;H. Murakami;Y. Kumagai;A. Koukitu
