Scaling of SiGe BiCMOS Technologies for Applications above 100 GHz

Scaling of SiGe BiCMOS Technologies for Applications above 100 GHz
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SiGe BiCMOS 技术的扩展适用于 100 GHz 以上的应用

DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
影响因子：
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通讯作者：
A. Chantre
A. Chantre
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
P. Chevalier;T. Lacave;E. Canderle;A. Pottrain;Y. Carminati;J. Rosa;F. Pourchon;N. Derrier;G. Avenier;A. Montagné;A. Balteanu;E. Dacquay;I. Sarkas;D. Céli;D. Gloria;C. Gaquière;S. Voinigescu;A. Chantre

文献摘要

被引文献

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本文总结了意法半导体公司为将SiGe HBT的fT / fMAX提高到~ 300 GHz / 400 GHz而进行的技术开发。沿着比较了不同代SiGe HBT在W波段的噪声和功率性能，以及CML环形振荡器和D波段的电路结果。
This paper summarizes the technological developments carried out in STMicroelectronics to raise the fT / fMAX of SiGe HBTs up to ~ 300 GHz / 400 GHz. The noise and power performance in the W-band of different SiGe HBT generations are compared along with CML ring oscillators and circuit results up to the D band.