Polytype identification in heteroepitaxial 3C-SiC grown on 4H-SiC mesas using synchrotron white beam X-ray topography
Polytype identification in heteroepitaxial 3C-SiC grown on 4H-SiC mesas using synchrotron white beam X-ray topography
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DOI：
10.1016/s0022-0248(02)00827-8
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发表时间：
2002-04
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Dudley;W. Vetter;P. Neudeck
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Dudley;W. Vetter;P. Neudeck
