A Buried High k Insulator for Suppressing the Surface Recombination for GaN-Based Micro-Light-Emitting Diodes
A Buried High k Insulator for Suppressing the Surface Recombination for GaN-Based Micro-Light-Emitting Diodes
复制标题
DOI：
10.1109/ted.2022.3164638
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zi-Hui Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Muyao Zhang;Sheng Hang;Chunshuang Chu;Hua Shao;Yidan Zhang;Yonghui Zhang;Yandi Zhang;Quan Zheng;Qing Li;Zi-Hui Zhang
