Influence of H_2/SiH_4 Ratio on the Deposition Rate and Morphology of Polycrystalline Silicon Films Deposited by Atomospheric Pressure Plasma CVD
Influence of H_2/SiH_4 Ratio on the Deposition Rate and Morphology of Polycrystalline Silicon Films Deposited by Atomospheric Pressure Plasma CVD
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H_2/SiH_4比例对大气压等离子体CVD沉积多晶硅薄膜沉积速率和形貌的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yuzo Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiromasa Ohmi;Hiroaki Kakuuchi;Kiyoshi Yasutake;Yasuji Nakahama;Yusuke Ebata;Kumayasu Yoshii;Yuzo Mori
