Low background doping in AlInN grown on GaN via metalorganic vapor phase epitaxy
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2020.125847
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发表时间：
2020-10
影响因子：
1.8
通讯作者：
D. Borovac;Wei‐Che Sun;Matthew R. Peart;Renbo Song;Jonathan J. Wierer;N. Tansu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Borovac;Wei‐Che Sun;Matthew R. Peart;Renbo Song;Jonathan J. Wierer;N. Tansu
