Mechanism of surface gating to carbon nanotube quantum dots fabricated on a GaAs/AlGaAs 2-dimensional electron gas wafer
Mechanism of surface gating to carbon nanotube quantum dots fabricated on a GaAs/AlGaAs 2-dimensional electron gas wafer
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GaAs/AlGaAs 二维电子气晶片上碳纳米管量子点的表面选通机制
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Mitsutoshi Makihata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
石橋 幸治;Satoshi Moriyama;Satoshi Moriyama;Koji Ishibashi;Koji Ishibashi;Maki Shimizu;Tomohiro Yamaguchi;Satoshi Moriyama;Satoshi Moriyama;Koji Ishibashi;Mitsutoshi Makihata
