NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価
NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの絶縁性および閾値安定性の評価
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NO氮化处理4H-SiC(11-20) MOS器件的绝缘性能和阈值稳定性评价
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡部 平司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中沼 貴澄;岩片 悠;小林 拓真;染谷 満;岡本 光央;吉越 章隆;細井 卓治;志村 考功;渡部 平司
