Device quality templates of In x Ga 1−x N (x < 0.1) with defect densities comparable to GaN
Device quality templates of In x Ga 1−x N (x < 0.1) with defect densities comparable to GaN
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In x Ga 1–x N (x < 0.1) 的器件质量模板，缺陷密度与 GaN 相当
DOI：
10.1063/5.0015419
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发表时间：
2020
影响因子：
4
通讯作者：
Bedair, S. M.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Routh, Evyn L.;Abdelhamid, Mostafa;El-Masry, N. A.;Bedair, S. M.
