Development of n-in-p silicon sensors for very high radiation environments
Development of n-in-p silicon sensors for very high radiation environments
复制标题
开发适用于极高辐射环境的 n-in-p 硅传感器
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Unno;他
