高移動度シリコン2次元電子におけるランダウ準位交差と電気伝導の巨大異方性
高移動度シリコン2次元電子におけるランダウ準位交差と電気伝導の巨大異方性
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高迁移率硅二维电子中的朗道能级交叉和导电的巨大各向异性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
當山 清彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Sawano;Y.Kunishi;Y.Shiraki;K.Toyama;T.Okamoto;N.Usami;K.Nakagawa;當山 清彦
