Functional devices fabricated using single crystal graphene on SiC substate
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使用 SiC 基底上的单晶石墨烯制造的功能器件
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Nagase
中科院分区：
文献类型：
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作者：
若家冨士男;寺門大地;河嶋祥吾;阿保智;長尾昌善;村上勝久;栗原幸佑，牙暁瑞，川上高輝，金井靖，田中輝光;M. Nagase
