Studies on InGaN multiple-quantum wells grown on non- and semi-polar bulk GaN substrates
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非极性和半极性体GaN衬底上生长的InGaN多量子阱的研究
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Satoru Nagao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shunsuke Okada;Hideto Miyake; Kazumasa iramatsu;Yuuki Enatsu;and Satoru Nagao
