Analysis of 3-terminal Hanle signals in Si-based spintronic devices
Analysis of 3-terminal Hanle signals in Si-based spintronic devices
复制标题
硅基自旋电子器件中三端Hanle信号分析
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Sato;R. Nakane;M. Tanaka
