Comparative study of selective growth of GaAs on Ti, SiO2, and graphene masks by molecular beam epitaxy
Comparative study of selective growth of GaAs on Ti, SiO2, and graphene masks by molecular beam epitaxy
复制标题
分子束外延在 Ti、SiO2 和石墨烯掩模上选择性生长 GaAs 的比较研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Naritsuka and T. Maruyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Iha;Y. Hirota;Y. Shirai;T. Iwatsuki;H. Kato;N. Yamamoto;S. Naritsuka and T. Maruyama
