PSD 法によるC ドープGaN 薄膜の成長
PSD 法によるC ドープGaN 薄膜の成長
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PSD法生长C掺杂GaN薄膜
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡辺拓人，丹所昂平，井上 茂，太田実雄，藤岡 洋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tokui;T. Yamauchi;D. Miyoshi;H. Kamiya;A. Nishimura;and N. Sugimoto;S. Kikkawa;渡辺拓人，丹所昂平，井上 茂，太田実雄，藤岡 洋
