Characterization of Tunneling Current through Ultrathin Silicon Dioxide Films by Different-Metal Gates Method
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不同金属栅极法表征穿过超薄二氧化硅薄膜的隧道电流
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Mizuho MORITA
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takaaki HIROKANE;Naoto YOSHII;Tatsuya OKAZAKI;Shinichi URABE;Kazuo NISHIMURA;Satoru MORITA;Kenta ARIMA;Junichi UCHIKOSHI;Mizuho MORITA
