Physical Model of Electron and Hole Traps in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor (MONOS) for Embedded Flash Memories
Physical Model of Electron and Hole Traps in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor (MONOS) for Embedded Flash Memories
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嵌入式闪存金属氧化物氮化物氧化物半导体 (MONOS) 中电子和空穴陷阱的物理模型
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kenji Shiraishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Takihara;T. Ujihara;T. Takahashi;松田 巌;Hiroyuki Kageshima;Kenji Shiraishi
